Главная / Процессоры и память

Процессоры и память


Silicon Power Xpower DDR3-2400 – скоростная память для геймеров и оверклокеров

Показать одной страницей Печать Написать письмо 0
Содержание:
Одной страницей
Заметили ошибку? Выделите фрагмент текста и нажмите CTRL+ENTER!
Несмотря на то, флагманская платформа Intel была переведена на оперативную память стандарта DDR4 SDRAM еще в 2014 году, массовые решения все еще работают с модулями DDR3, и подобный переход для них только планируется. Ну а до тех пор, пока в этот сегмент еще не внедрен  новый стандарт, производителям модулей для привлечения потребителей приходится продолжать совершенствовать скоростные характеристики своей продукции. И если относительно недавно запредельными казались частоты порядка DDR3-2133, то сегодня уже плотно освоена планка DDR3-2400.
 
Так, сегодня в поле нашего внимания оказался комплект памяти производства компании Silicon Power с заявленным клокингом DDR3-2400. Данная компания хорошо известна как производитель различных запоминающих устройств, начиная от USB-флэш до SSD, но с модулями памяти Silicon Power мы имеем дело очень редко.
 
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Общий вид
 
 
Как и другие крупные производители оперативной памяти, компания Silicon Power предлагает несколько различных линеек модулей стандарта DDR3 SDRAM. Это группы решений для серверов, ноутбуков, простых настольных компьютеров и, стоящая особняком, серия для оверклокеров и энтузиастов. В ее рамках, под общим названием Xpower DDR3, компания предлагает ряд двухканальных комплектов с номинальной частотой функционирования DDR3-1866, 2133 и 2400 МГц и суммарной емкостью 8 и 16 GB. Именно к этой серии и относится рассматриваемый продукт Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11).
 
В продажу комплект поступает в прозрачном блистере, позволяющем полностью рассмотреть экстерьер модулей.
 
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Упаковка и комплектация
 
Как и положено планкам такого уровня, Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) оснащены большими алюминиевыми пластинами, выполняющими роль радиаторов. Пластины оказывают решающее влияние на внешний вид изделия, поэтому производители обычно уделяют им достаточно пристальное внимание.
 
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Радиаторы
 
В данном случае радиаторы окрашены в ярко-красный цвет, имеют определенный рельеф и перфорированные края, создающие подобие зубцов, что придает им довольно внушительный внешний вид. Тепловой контакт с чипами организован с помощью типичного клейкого теплопроводного интерфейса.
 
Традиционная наклейка на лицевой стороне рассматриваемых планок говорит о том, что их номинальная частота составляет DDR3-2400 МГц при значении CAS Latency 11, а емкость каждой единицы из пары составляет 4 GB. То есть мы имеем дело с комплектом емкостью 8 GB. Пожалуй, на сегодняшний день это наиболее актуальный объем ОЗУ. Меньший ставит пользователя перед дилеммой выбора разрядности операционной системы, а больший, если не заниматься организацией RAM-диска, далеко не всегда будет востребован.
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Характеристики
 
Более полную информацию, конечно же, можно получить, заглянув, увы, не на сайт производителя или сопроводительную документацию, а в содержимое микросхемы EEPROM. В частности, здесь мы можем увидеть полный набор таймингов, соответствующих клокингу DDR3-2400 МГц – CL11-13-13-32, а так же подходящее такому режиму значение напряжения – 1.65 В.
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. XMP
 
Здесь же мы видим, что модули имеют два набора настроек XMP (Extreme Memory Profile), что позволяет не производить конфигурацию вручную, а просто выбрать нужный набор в меню материнской платы.
 
Построены модули Silicon Power Xpower DDR3-2400 на чипах Hynix H5TQ4G83MFR PBC 417A емкостью 2 Gbit каждый. Всего используется по шестнадцать чипов на планку, распаянных по обе стороны печатной платы.
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Чипы
 
Как известно, маркировка чипов в последнее время не имеет особого значения, так как такие компании, как Silicon Power, при производстве "простых" и оверклокерских модулей как раз тем и занимаются, что тестируют и сортируют чипы, произведенные Hynix, Samsung и т.д. по способности работать на определенных частотах. Поэтому говорить о разгонном потенциале элементов, исходя из маркировки, уже не приходится.
 
Что ж, закончив осмотр и предварительное знакомство с тестируемыми модулями памяти, посмотрим, на что они способны на практике.
 
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Общий вид
 
 
Тестирование комплекта памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) осуществлялось на стенде следующей конфиигурации:
  • процессор: Intel Core i7-2600К (3.4 ГГц, 4 ядра (8 виртуальных), 8 Mb L3), LGA 1155;
  • материнская плата: MSI P67A-GD80 (B3), Intel P67 Express;
  • система жидкостного охлаждения Corsair H60;
  • видеокарта: Palit GeForce GTX 980 Super JetStream;
  • блок питания: FLOSTON 560 Вт (LXPW560W);
  • шасси: Cooler Master LAB.
Как и всегда, главное, что нас интересует при тестировании модулей оперативной памяти, – это их разгонный потенциал. Ведь де-факто планки, выпущенные различными производителями, но работающие на одной и той же частоте и с аналогичными таймингами, обеспечивают идентичную производительность системы. То есть заметно быстрей продукции конкурентов с номинальной частотой 2400 МГц комплект Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) может оказаться, только если сможет работать на значительно более высоких частотах или при более низких таймингах. Именно выяснение этих максимально возможных частот при различных значениях задержек адресации обычно и является главной целью тестирования. Проверка стабильности работы памяти при достигнутых результатах разгона контролировалась многократным прогоном теста Linpack 64 bit с поддержкой инструкций AVX, работающего в среде Windows 7 х64.
 
Номинальное напряжение питания Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) составляет 1.65 В – оно и было выбрано в качестве основного. Использовать для таких модулей стандартный вольтаж 1.5 В – бессмысленно, ибо с ним они не смогут раскрыть свой потенциал, а более высокое напряжение, как показало предварительное тестирование, не приводит к сколько-нибудь ощутимому росту рабочих частот.
 
Самое высокое значение частоты функционирования подсистемы памяти, которого удалось достичь с модулями Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) составило DDR3-2800 МГц при задержках CL12-13-13-32- 2Т.
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Максимальная частота
 
Однако, как показало тестирование производительности подстистемы, названный режим функционирования является далеко не самым оптимальным.
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Тестирование производительности
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Тестирование производительности
 
Наибольшую скорость 8-гигабайтный комплект Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) демонстрирует с набором таймингов 11-13-13-32 2Т при частоте DDR3-2667 МГц. Соответственно, он и является предпочтительным к использованию.
 
 
Даже в номинальном режиме модули оперативной памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) демонстрируют выдающиеся скоростные характеристики, поэтому хорошо подойдут для игровой или иной высокопроизводительной системы. В то же время, как показало тестирование, в них есть потенциал и для оверклокинга, поэтому пользователям, не приемлющим настроек по умолчанию, комплект подойдет благодаря наличию достаточно широкого "простора для творчества". Несмотря на крайне невысокое тепловыделение современных чипов DDR3, модули Silicon Power Xpower DDR3-2400 (CL11) оснащены радиаторами, что позволяет свободно экспериментировать с их разгоном, в том числе и при значительном повышении напряжения питания.
 
Модули памяти Silicon Power Xpower DDR3-2400. Общий вид
 

Фотографии выполнены в студии TECHLABS, фотограф Кирилл Кручинин

TECHLABS

Страница:

Меню раздела